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Vacuum Melting Electronic Grade Copper SiC Graphite Crucible for Semiconductor Target Material
Datos del producto:
| Lugar de origen: | Porcelana |
| Nombre de la marca: | Baidun |
| Número de modelo: | VM-EG400 |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 1 Uds. |
|---|---|
| Precio: | Negotiate |
| Detalles de empaquetado: | Empacado de madera de exportación |
| Tiempo de entrega: | 25-30 días |
| Condiciones de pago: | T/T |
| Capacidad de la fuente: | 2000 unidades/mes |
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Información detallada |
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| Material: | Carburo de silicio y grafito | Densidad: | 2.21-2.25 g/cm3 |
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| Forma: | Cilíndrico | Resistencia a la temperatura: | Hasta 1650°C |
| Proceso: | Fusión al vacío | Solicitud: | Cobre de grado electrónico para objetivos semiconductores |
| Pureza: | 6N (99,9999%) | Atmósfera: | Alto vacío |
| Resaltar: | electronic grade copper melting crucible,SiC graphite crucible for semiconductors,vacuum melting crucible for target material |
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Descripción de producto
Vacuum Melting Electronic Grade Copper SiC Graphite Crucible
Ultra-high purity crucible for vacuum melting of 6N (99.9999%) electronic grade copper used in semiconductor sputtering targets. Minimal outgassing and zero contamination design.
Key Features
- Vacuum compatible ultra-low outgassing
- 6N purity retention capability
- Semiconductor grade material quality
- Clean melting for target manufacturing
- Batch traceability documentation
Applications
Semiconductor sputtering target production, electronic grade copper melting, high-purity copper for chip manufacturing, PVD target material preparation.
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